by 07jshock07 | Jan 6, 2020 | 10nm, 3nm, 5nm, 7nm, Antminer S17+, Avalonminer 1166, bitmain, BM1397, Canaan, chips, Ebang, FinFET process, foundries, Gate All Around (GAAFET), Innosilicon, Intel, MicroBT, Mining, nanometer, News, Samsung, Semiconductor, Strongu, TSMC
A mediados de diciembre, Intel reveló que la compañía espera diseñar semiconductores de 2 nm y 1,4 nm para 2029. Durante el mismo período, fuentes regionales informaron que Canaan y Bitmain revelarán nuevas plataformas mineras...
