A mediados de diciembre, Intel reveló que la compañía espera diseñar semiconductores de 2 nm y 1,4 nm para 2029. Durante el mismo período, fuentes regionales informaron que Canaan y Bitmain revelarán nuevas plataformas mineras este año equipado con chips de 5nm basados en TSMC. Ahora, la competencia se está fortaleciendo a medida que Samsung revela que el fabricante de chips logró crear el primer prototipo de 3 nm (GAAFET). Samsung ha demostrado que está por delante del proceso de 5 nm y la compañía espera ser el fabricante de chips más dominante para 2030.
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Mientras que TSMC está fuertemente invertido en el Proceso de 5 nm, surge el prototipo de semiconductor de 3 nm de Samsung
Durante la segunda mitad de 2019, los fabricantes de plataformas de minería bitcoin produjeron una serie de nuevas plataformas de minería de alta potencia. News.Bitcoin.com informó sobre cómo los dispositivos de minería de 2019 son 5 veces más rápidos que los predecesores. En el momento de la publicación, el minero más rentable del mercado es el Antminer S17 + de Bitmain, que produce 73 terahash por segundo (TH / s). Canaan también tiene el Avalonminer 1166, una máquina que tiene una velocidad de hashing máxima de 68TH / s. Otros productores principales de plataformas mineras incluyen Innosilicon, Strongu, Microbt y Ebang . La mayoría de las plataformas mineras más nuevas en el mercado están equipadas con semiconductores de 10 nm o chips personalizados de 7 nm de dos fundiciones líderes.
Por ejemplo, Bitmain reveló su chip personalizado de 7 nm llamado BM1397 en febrero pasado y Las máquinas Canaan 2019 también están equipadas con semiconductores de próxima generación. Las fuentes dicen que muchas de estas firmas de plataformas mineras obtienen chips de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Sin embargo, las fuentes dicen que Canaan usa semiconductores TSMC y Samsung y los informes han señalado que Innosilicon también aprovecha los chips de Samsung. A finales de diciembre, los informes regionales afirmaban que tanto Bitmain como Canaan lanzarían máquinas equipadas con 5 nm en 2020. TSMC le dijo al público que la empresa está a la vanguardia del proceso de 5 nm en el IEEE IEDM Conferencia a mediados de diciembre.
Mientras tanto, Samsung ha reveló la empresa ha producido El primer prototipo de proceso de 3 nm del mundo que se basa en la tecnología Gate All Around (GAAFET) . El proceso es diferente al proceso convencional FinFET utilizado para crear chips de 7 nm y 5 nm. GAAFET aparentemente disminuye el tamaño del silicio en un 35% y los informes enfatizan que Samsung 3nm tiene un rendimiento 33% mejor que los semiconductores de 5nm. Durante nuestro último informe sobre la producción de equipos mineros equipados con Canaan y Bitmain de 5 nm, se mencionó que los chips de 5 nm rinden un 15% mejor que los predecesores de 7 nm. Las fuentes destacan que TSMC se invierte considerablemente en fabricación de 5 nm y la mayoría de los chips de 5 nm provendrán del fabricante de Taiwán. Sin embargo, los informes han subrayado que Apple ya ha reservado dos tercios de la capacidad de 5 nm de TSMC. Esto significa que los fabricantes de minería de bitcoins tendrán que competir por el suministro restante o buscar la fabricación de 3 nm de Samsung.
Los semiconductores de 5 nm y 3 nm podrían reforzar significativamente el hash SHA256
Esencialmente la diferencia entre el tamaño de un 7 nanómetro ( nm) y el semiconductor de 5 nm es la densidad y las ejecuciones de rendimiento no necesariamente escalan con el tamaño del transistor. Al reducir el nodo del proceso, los aumentos de rendimiento suelen ser entre 10-20% entre cada chip generacional. Por lo general, una sola plataforma minera tiene unos pocos cientos de estos chips y la producción de hash se basa en la cantidad de núcleos en el chip. Por ejemplo, uno de los mineros de bitcoin más populares, la generación anterior Antminer S9 (14TH / s), utilizaba semiconductores FinFET de 16 nm creados por TSMC. Un S9 anterior de 14 terahash por segundo emplea 189 chips Bitmain BM1387.
En 2019, es mucho más difícil averiguar exactamente qué tamaño de chip ha utilizado el fabricante de la plataforma minera y cuántos chips emplea la unidad individual. En estos días las especificaciones de la plataforma minera directamente de la compañía no detallan cuántos chips se utilizan en cada máquina, el tamaño del chip o qué fundición hizo el semiconductor. A veces, los comunicados de prensa de los mayores fabricantes de chips de minería revelan que están aprovechando la tecnología de 10 nm o 7 nm y divulgan cuándo los chips provienen de Samsung o TSMC. Los compradores ahora tienen que esperar a que se revisen los nuevos dispositivos de minería en los mercados secundarios para averiguar el tamaño del chip de la unidad y cuántos chips contiene cada equipo.
A pesar de la falta de información sobre especificaciones, plataformas de minería, en general , son cada vez más rápidos a medida que pasa el año. A finales de 2018, las plataformas de minería individuales producían entre 25 y 40 TH / sy ahora las velocidades de hash de una sola unidad superaron las 60 y 73 TH / s. La introducción de chips de 5 nm y 3 nm debería impulsar la próspera industria ASIC de bitcoin y el hashrate general SHA256 en gran medida. El hashrate en la red BTC recientemente alcanzó 119 exahash por segundo (EH / s) y continúa creciendo. Con semiconductores de 5nm y 3nm y núcleos más rápidos, el aumento del rendimiento de la plataforma de minería de bitcoin podría aumentar en un 15-33% a partir de la segunda mitad de 2020.
¿Qué opinas sobre Samsung produciendo el primer prototipo de 3nm (GAAFET)? ¿Qué opinas sobre los mineros de bitcoin equipados con 5nm y 3nm que entren en la refriega para el próximo año? Háganos saber lo que piensa sobre este tema en la sección de comentarios a continuación.
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Créditos de imagen: Shutterstock, Bitmain, Innosilicon, Canaan, Tomshardware.com, Blockchain.com, Wiki Commons, Fair Use y Pixabay.
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Referencia: https://news.bitcoin.com/chipmaking-giant-samsung-reveals-3nm-semiconductor-prototype/